1.真空设备共通规格

· 产品尺寸规格

· 基板尺寸：8寸硅片;

· 产品厚度： 0.3~0.7mm ；

· 产品放置方式: face down；

· 设备主要配备:真空腔室×1，蒸发裂解炉×1，真空系统配备低真空压力计×1和高真空压力计×1；

· Pump搭配：主要设备有合理抽气速率的pump，pump需要有冷井装置，为避免油气污染等情况；Pump接口有简单滤网设计，防止物品掉落；

2.镀膜机设备单元

a.硬件规格：

· 蒸发管和裂解管要求使用不锈钢管材，分两段设计，使用法兰+耐高温密封圈连接裂解管部分的不锈钢要采用特殊材质（耐温800℃以上，能试用于真空环境中）；

· 裂解管与沉积室连接采用法兰+铜垫圈连接，并保证足够长度以便后期更换方便；

· 蒸发管和热解管有整体的水平支架，需有定位，方便取放时定位；

· 铝盖要有加热功能，方便开关，密封圈设计在蒸发管的端部；

· 易损和需更换耗材需预留更换空间，如沉积室底部皮带（或换成尺寸齿条传动）；

· 分流板固定方式需牢固，进气口和出气口需一致在腔体中间位置；

· 设备需满足千级无尘洁净等级的要求，设备零部件不能产尘，发尘；

· 设备操作界面≥10inch，便于操作；

· 蒸发管加热部分，要保证管子受热均匀（±2℃）；

· 8inch硅片，每炉4片及以上；

· 铝盖、蒸发室、裂解室最高温度分别达到200℃、200℃、800℃；温度精度和稳定性需控制在±2℃；

· 为保障颗粒度要求可定期更换反映管理，蒸发管路及裂解管路可拆卸。

· 设备需具有添加成膜偶联剂模块；

· 设备操作模式：手动/自动。

b.控制单元：

· 主控制器：

· 主控制器：PLC。

· 输入设备：Pro-face。

· Recipe制作和编辑：可编辑3~5组数据，支持数据导出功能。

· 电气控制系统：提供UPS电源，可保证电力供应中断时，不会造成严重系统事故和操作人员受伤。

· 备品管控：提供设备免费保修期内必需的备品备件和易损件；

· 显示界面：压力，状态，温度等参数显示。

· 监控方面：压力，温度可监控。

· 工具方面：提供一套完整的维修和操作的专用工具。

c.安全功能：

· 互锁功能：设备开腔时要有互锁功能；

· 紧急停止开关：按钮及排布形状按照厂商标准；

· 空气压力、真空等发生异常时发出警告；

· 设备有事故防止或装置保护的各种异常检出机构，异常检出时，蜂鸣器响起，同时在显示器上表示出异常内容；

· 警告标签：在所有危险位置标记；使用中文或英语；（包括腐蚀性警告标签，有毒警告标签，烫伤警告标签，机械性损伤警告标签等）；

· 设备技术资料提供：

· 设备厂商需提供设备操作使用手册、零部件清单、设备框架图、电气接线图书面资料及电子资料各一套。

3.镀膜工艺：

· 基底尺寸：8 inch×0.7 mm；

· 沉积速率：＞10nm/s；

· 速率控制精度：1 nm/s；

· 基底温度：＜85℃；

· 膜层沉积时wafer朝向：wafer face down；

· 工艺过程中wafer无脏污、划伤、破损；

· 工艺真空度达到10^-1Torr以下，抽真空时间≤60min

4.膜层参数：

· 有效区域面积：200 mm×200 mm；

· 膜层厚度精度：＜±10%；

· 膜层厚度均一性：＞90%（16点均一性）；

· 膜层粗糙度：500nm厚度，Ra＜50nm；

· 透过率:550nm＞90%；

· 各项参数片内均一性：＞90%；

· 测试片膜厚均一性＜5%（膜厚500nm为例），成膜速度在＞10Å/S可调，需要有膜厚检测功能；

· 8英寸wafer单片上显示区域＞1um数量小于15颗。

5.验收标准：

· 设备调试和验收应以相关的国际标准和规定及卖方投标文件中提供的技术参数为依据，按照买卖双方签字同意的最终验收 行业标准；

· 技术培训及服务：

· 厂商人员负责从装机开始直至验收完毕的技术服务；

· 厂商人员负责对现场工程师及技术员进行设备运行、维修、保养等方面的培训，保证现场工程师和技术员可以独立完成设备操作

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